鍾德元

PQ/PMMA為具有潛力的全像光學儲存材料，並於各種光學元件中具有應用價值，具有高穩定性、低體積收縮率、易於製備和價格低廉等優點。其光化學反應機制涉及PQ分子對光子的吸收，從單重態轉變為三重態再與PMMA與MMA生成光產物。不論PQ/PMMA材料在全像光學儲存系統中的應用或是光學元件的應用PQ/PMMA材料的光化學反應造成PQ分子濃度的變化會影響實際應用的效果，因此，綜合過去的研究成果，本研究利用PQ/PMMA材料的吸收光譜行為，估計在不同曝光狀況下PQ分子濃度的變化，再透過連續曝光實驗以及連續曝光後停止曝光並持續觀察穿透光譜進一步了解PQ/PMMA的光化學反應機制，發現PQ/PMMA材料中約有92%至94%的PQ分子會迅速吸收光子轉變成3PQ*並與反應物迅速發生反應生成PQ/PMMA分子，而其他的PQ分子會較慢與反應物發生反應，可能的原因為這部分的PQ分子周圍缺乏能夠進行反應的PMMA分子或官能基，因此，3PQ*需要擴散至有反應物的區域才能與反應物發生反應成為產物，以此補充對PQ/PMMA光化學反應機制的說明，並藉由實驗中穿透光譜的行為算出位於波長360 nm到380 nm之反應截面，使其應用於估算PQ/PMMA樣品中之PQ濃度。