陳昇暉

有鑑於當前5G/6G通訊、電動車及快充等高效率電子技術的發展，使得寬能隙半導體相關技術受到重視。其中氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)是兩個相當具有代表性的寬能隙半導體材料，除了這兩者發展較為成熟的材料以外，更為新穎的極寬能隙半導體(Ultra-wide bandgap, UWBG)概念在近年被提出且應用於功率半導體元件，氧化鎵(Ga2O3)是極寬能隙半導體的代表性材料，該材料具有具備更寬的能隙與更優異的電氣特性，相當具有潛力突破目前氮化鎵及碳化矽所達到的元件性能指標。 本論文研究以高能脈衝磁控濺鍍鍍(High Power Impulse Magnetron Sputtering，HiPIMS)磊晶生長氧化鎵於石英等基板，透過高能量且高密度的電漿技術生長磊晶氧化鎵薄膜，實驗主要分為兩部分，第一部分為藉由固定生長溫度600度來改變不同基板、調節反應氣體分壓及儲能時間(Off time)，探討在不同製程條件對氧化鎵薄膜結晶性、光學特性的影響，最後磊晶出多晶 (Polycrystalline)之β-Ga2O3薄膜。 在紫外光檢測器方面，利用氧化鎵超寬能隙的光學特性來探測深紫外波段的光，並比較在不同電極下，對元件電性的影響，以及元件是否對於紫外光及可見光之響應具有選擇性，並且分析元件在光源開啟與關閉狀態之響應速度。