郭倩丞

極紫外光(EUV)反射鏡對於反射率的要求極高，在使用過程中會因為污染造成反射率下降，生產良率也會大幅下降，為了維持良好的反射鏡品質，將碳汙染、錫汙染、表面氧化層及蝕刻時所造成的碎片清理乾淨，需使用氫離子對反射鏡表面做清潔，由於氫離子轟擊時間拉長會讓反射鏡表面產生氣泡，使反射鏡受到損壞造成反射率降低，因此本論文探討極紫外光反射鏡覆蓋層對於氫離子轟擊後的結果。 本研究使用離子束濺鍍機在Si基板上鍍製B4C/Mo/B4C/Si多層膜，固定每個材料的離子束電壓電流，利用原子力顯微鏡分析表面粗糙度並代入X射線反射儀做初步的薄膜厚度判斷，再利用高解析掃描穿透式電子顯微鏡互相交叉比對分析，改變鍍膜時間，即可獲得較高的反射率，使用EUV反射儀量測到在19°入射時獲得51.6%的反射率。 由於覆蓋層會因為EUV曝光機運作時，受到高能輻射汙染造成表面氧化，以及在清潔時造成的氫起泡，有文獻提到氧化物覆蓋層具有良好的抗氧化性和抗氫能力。因此本研究在反射鏡完成後，使用原子層沉積系統在鏡面上鍍製氧化物覆蓋層，利用氫離子源固定電壓電流在不同時間轟擊下，利用掃描式電子顯微鏡、原子力顯微鏡以及高解析穿透式電子顯微鏡進行量測分析，觀察反射鏡表面形貌及粗糙度以及剖面狀況。