郭倩丞

本論文使用電漿輔助原子層沉積法鍍製抗反射膜於玻璃基板，固定製程溫度於70°C，使用氧氣混合氬氣的氧化方式，探討不同厚度、不同電漿瓦數下TiO2、SiO2的光學特性與機械應力，並以無膜裂之最佳參數電漿功率150W鍍製抗反射膜。 經X光繞射儀測得TiO2單層膜與基板訊號一致、TEM橫截面與電子繞射環無任何晶粒與光斑產生，呈現非晶態。使用原子力顯微鏡分析薄膜表面，其平均粗糙度約為0.2±0.05nm。應力量測使用Fizeau 干涉儀，TiO2單層膜隨著循環次數增加穩定於約220±10MPa，而SiO2單層膜隨著循環次數增加穩定於約-35±15MPa。 最終結果顯示，四層抗反射膜在400nm~700nm可見光波段的反射光譜平均反射率達0.35%，應力值為48MPa，驗證了使用呈現張應力的TiO2與呈現壓應力的SiO2可達到抵消應力的效果。