郭倩丞

本研究採用離子助鍍電子槍蒸鍍系統來鍍製氧化釔(Y2O3)、釔鋁石榴石(YAG)及釔鋁石榴石(YAG)摻雜稀土元素材料，調整不同離子源電壓參數鍍製抗電漿腐蝕薄膜，透過微波電漿蝕刻(CF4/O2/Ar)後找出其最佳抗電漿腐蝕薄膜以及其參數。 經過微波電漿蝕刻機固定微波功率及氣體比例蝕刻兩個小時後，從XPS分析可知氧化釔(Y2O3)、釔鋁石榴石(YAG)及釔鋁石榴石(YAG)摻雜稀土元素材料在不同離子源電壓時有不同的Y-F濃度，當有較高的Y-F濃度時有較好的擴散速率。在經過長時間的蝕刻又以YAG 摻雜稀土元素最為抗電漿腐蝕。 從FIB圖可以發現蝕刻兩個小時後氧化釔(Y2O3)、釔鋁石榴石(YAG)及釔鋁石榴石(YAG)摻雜稀土元素材料時有較慢的生長速率，分別為0.00713 Å/s、0.0667 Å/s及0.0045 Å/s，經過長時間蝕刻後也是YAG 摻雜稀土元素之生長速率趨於穩定。經過OM的觀察也可以發現YAG 摻雜稀土元素膜面經過長時間蝕刻後有較少微粒汙染。 YAG 摻雜擁有不錯的氟擴散速率表示其生成鈍化層的品質較佳，以及經過長時間蝕刻可以更快速的達到穩定減緩其生長速率，並且微粒汙染較少，因此YAG 摻雜之抗電漿腐蝕能力最為出色。