王智明

在通訊元件以及各式電子元件需求大量的時代中，需要高速處理以及大量運算的相關元件，例如基頻高頻的石英震盪器，但現今的石英元件的厚度跟高頻高度相關，一直是困難的製程目標，而石英微影製程是一種在微細尺度下製造微型元件的關鍵工藝之一，其在半導體製造和微奈米技術領域中扮演著重要的角色。 本文第一部份聚焦於石英微影製程中的雙面濕蝕刻技術，使用兩種玻璃蝕刻溶液在石英基板的兩側進行蝕刻，以實現並加速了微結構的製作，在AT-cut基板中圖案化直徑100μm的圓孔及150μm的橢圓圓孔，並且成功在孔洞蝕刻出垂直通道，使用了兩種蝕刻液，緩衝氧化物蝕刻劑(Buffered Oxide Etch)的單面蝕刻率為0.37μm/h，二氟化氫銨( Ammonium bifluoride) 單面蝕刻率為6.183μm /小時，第二部分為石英濕蝕刻的延伸應用，VR與AR眼鏡的舒適度與沉浸感與平板光學有著密切關係，而石英濕蝕刻產生的非等向蝕刻可以製作出非傳統的閃耀式光柵，而本文使用電子束曝光機在石英上圖案化週期400nm的光柵圖案，並使用緩衝氧化物蝕刻劑蝕刻一小時，成功蝕刻出部分光柵結構，並將結構使用嚴格耦合波分析法（Rigorous Coupled Wave Analysis, RCWA,）模擬，TE波中入射15度中有25%繞射效率，TM波中入射0度中有25%繞射效率。