賴昆佑

相較於可見光LEDLED，紫外光LED 因波長更短能量更強，可以殺菌，在生醫領域有很大的應用價值。但是紫外光LED 的發光效率很低，尚未完全商業化。為了提升紫外光LED 的效率，我們希望利用表面電漿效應增加LED 的量子效率。我們在藍寶石基板上成長發光波長為( 的AlGaN 量子阱(Qu antum Well, QW) QW)，再用鋁作p 型電極，並分析量子阱和Al 之間的距離對發光效率及電性的影響。我們發現當量子阱和Al 之間的距離為50 nm p 型GaN 磊晶時間 5 分鐘 時，元件有較明顯的表面電漿效應，但是接觸電阻太大。如果將Al下方的Ni 厚度從5 nm 增加到10 nm nm，可以降低接觸電阻、並維持表面電漿的效果。