郭倩丞

極紫外光多層膜反射鏡的反射率是極紫外光微影蝕刻技術中決定產能的重要參數。然而組成 EUV 多層膜反射鏡的兩材料 Mo 和 Si 傾向於互相 混合以及擴散，因此反射率始終低於理論值。由於離子束濺鍍法低表面粗糙度及較少缺陷的特性，因此較常被使用來鍍製極紫外光多層膜反射鏡。 因此本論文在製程溫度 60°C 下使用離子束濺鍍法鍍製 Mo/Si 多層膜，在固定 Si 薄膜的離子束參數為 500V/30mA 下，調整濺鍍 Mo 薄膜的離子束電壓電流大小鍍製 Mo/Si 多層膜，接著使用高解析掃描穿透式電子顯微鏡觀察其界面擴散程度，並以 X 射線反射儀輔助電子顯微鏡的量測結果，最後再使用 X 射線繞射儀量測優選晶向 Mo<110>的結晶狀況。本論文亦探討加入 B4C 材料層(離子束參數 700V/40mA)與否對於多層膜的微觀結構有何影響，並以找出界面擴散程度最低的 Mo 離子束參數為最終目標。使用 400V/50mA 的 Mo 離子束參數時獲得最低的界面擴散厚度，在Mo-on-Si 界面與 Si-on-Mo 界面分別為 0.7nm 及 0.46nm。加入 B4C 後多層膜大部分的界面擴散厚度皆下降，其中以使用 600V/50mA 的 Mo 離子束參數下鍍製的多層膜擁有最低的界面厚度，在兩界面的擴散厚度皆為 0.43nm。 原子力顯微鏡量測的平均表面粗糙度結果皆低於 0.1nm，較低的表面粗糙度代表極紫外光入射時會產生較少散射，獲得較高的反射率。本論文使用 400V/50mA 及 500V/30mA 的離子源參數分別鍍製 Mo/Si 多層膜中的 Mo薄膜及 Si 薄膜，該多層膜在 Mo-on-Si 界面與 Si-on-Mo 界面的界面擴散厚度分別為 0.71nm 及 0.54nm，並以 34⁰的入射角在 13.5nm 的波長下獲得 40%的 EUV 反射率。