賴昆佑

第三代半導體氮化鎵生長於(111)面矽基板，因兩者晶格匹配度較高，所以可利用低溫成核層成長單晶結構，是業界常用規格，用於製造半導體功率元件、射頻元件和LED等；(100)面的矽基板，因其結構對稱特性，很適合用於製造COMS元件，然而將氮化鎵生長於(100)矽基板是相當不易的事情，因為其晶格差異(lattice mismatch)相當大，雖然已有許多實驗室透過某些方法比如基板接合法(wafer bonding)得到品質不錯的氮化鎵，但其製作過程相當繁瑣，所以簡化過程仍是大部分實驗所追求的方向。 二維電洞氣(two dimensional hole gas, 2DHG)可應用於氮化物電子元件。本實驗利用BN做為磊晶緩衝層，在Si(100)基板依序成長BN、GaN、AlGaN，並藉由霍爾量測確認電洞訊號，能帶模擬也可得到2DHG的結果。在加入AlN中間層後，拉曼量測顯示明顯的GaN訊號，但SEM表面的觀察結果是相當粗糙，若將AlN、GaN去除，直接將AlGaN成長於BN/Si(100)表面，可以得到平坦的表面、並維持2DHG結構。