郭倩丞

EUV 微影蝕刻技術正朝著高產能、高良率的方向發展,然而 EUV 曝光機內 Mo/Si 反射鏡的介面擴散層厚度嚴重影響反射鏡光學品質, 是產業朝向高產能的一個阻礙。然而離子束濺鍍法所鍍製的多層膜,能 有效的減少介面擴散及降低各介面的粗糙度,加上此沉積技術能在多 層膜生長中產生最少數量的缺陷,故這項技術開始受到大家的重視。 因此本論文使用離子束濺鍍系統,在 60 °C下調整離子束電壓及電 流,首先鍍製 Mo 單層膜以及在 Al2O3或 SiO2 上鍍製 Si 薄膜,並以橢 偏儀進行量測,界定單層膜厚度。接著鍍製二週期 Mo/Si 多層膜,先使 用 XRR 量測,IMD 軟體擬合得出多層結構資訊,初步判斷調整各參數 下多層膜的介面厚度變化趨勢,最後再透過 TEM 橫截面量測,探討離 子束電壓及電流對微觀結構的影響,發現降低離子束電壓能夠減少介 面擴散層厚度,離子束電流必須選擇折衷的數值,以獲得最佳介面表現。 然而在 TEM 中 Si 材料的低電子吸收率,及 Mo 材料的高電子吸收率, 造成 TEM 膜厚量測結果與 XRR 擬合數值有出入。AFM 表面粗糙度結 果顯示,離子束電壓的增強並未對多層膜的表面粗糙度有明顯變化,離 子束電流的增強能夠平滑多層膜的表面,顯示吸附原子(ad atom)的通量 多寡影響了多層膜的表面粗糙度趨勢。