陳昇暉

近年來非晶氧化物半導體(amorphous oxide semiconductor, AOS)被應用於薄膜電晶體(thin film transistor, TFT)的通道層，與非晶矽a-Si、低溫多晶矽(Low Temperature Poly-silicon, LTPS)相比，AOS具有高遷移率、低漏電流、均勻性和適合低溫製程等優勢，其中AOS又以IGZO為值得關注的議題，其原為透明導電氧化物(transparent conductive oxide, TCO)配置的，因此擁有高穿透率與高導電性特性，更具有商業價值。 本論文的實驗分成兩部分，分別探討IGZO薄膜製程和軟性基板之影響，並利用新穎的高功率脈衝磁控濺鍍來製程IGZO，能擁有高緻密性、附著力以及能於低溫製程下製程，對於未來用應於軟性基板有很大的奉獻。第一部分利用霍爾量測儀分析薄膜電性，施加負基板偏壓可提升電性，加入適量的氧氣流量提升遷移率；第二部分，濺鍍IGZO於軟性基板，利用彎曲測試，於不同直徑和張應力以及壓應力之電性比較，直徑越大對薄膜影響越小，且張應力對於薄膜影響並不大。最後，我們成功製作出IGZO於軟性基板，並透過彎曲測試，觀察薄膜對張應力與壓應力之比較，壓應力對薄膜影響更大。