郭倩丞

本論文使用電漿輔助原子沉積法沉積抗反射膜於PMMA塑膠基板，在低溫製程60ºC下使用氧氣混氬氣的氧化方式，探討HfO2、SiO2、Al2O3折射率(n)和消光係數(k)的趨勢藉此獲得最佳的製程參數，研究發現使用電漿輔助原子沉積技術在低溫60ºC下，HfO2薄膜的結晶強度會隨著ALD循環次數的增加而提高，因此在本論文研究出在HfO2薄膜中插入抑制層降低薄膜的結晶現象，經過X光繞射儀量測HfO2薄膜其結晶強度成功從2256.09下降至1.2，使用原子力顯微鏡分析薄膜表面，其薄膜粗糙度從1.25 nm下降至0.434 nm有著大幅度的改善，並透過恆溫恆濕試驗測試抗反射膜的耐久度，在溫度85 ℃與濕度85%條件下未插入抑制層的抗反射膜只維持52小時，有插入抑制層的抗反射膜，其耐久度能延長至352小時。