賴昆佑

在過去的二十年中， InGaN-GaN 量子井 (QW) 的發光二極管 LED 獲得了巨大的商機，並有望最終取代白熾燈泡。然而，紫外 (UV) LED 的量子效率，特別是在 300 nm 以下的波長，仍低於 15%，阻 礙了氮化物紫外 LED 的商業化。 在這項研究中，我們利用數值模擬的方式，分析量子井與金屬 (Al)的表面電漿(surface plasmon resonance, SPR)耦合效率，目 的是要設計具有更高量子效率的 UV LED 元件結構。我們發現，當 Al 與量子井的距離在 1 nm 的時候，量子井與 Al 有最強的 SPR 耦 合效率。為了製造 UV LED 元件，我們透過改變乾蝕刻時間的方式， 嘗試了不同深度的 p-n 介面，發現當刻蝕深度為 400 nm 時，可以 得到接近 p-n 介面的 I-V 曲線。雖然這些元件沒有產生預期的紫外 光，本研究將分析元件量測的結果，也會提出解決問題的對策。