陳昇暉

近年來有許多非晶氧化物半導體(amorphous oxide semiconductors ，AOS)的研究被應用在薄膜電晶體(thin-film transistors，TFT)的通道層，AOS與非晶矽(amorphous silicon，a-Si)或有機半導體TFT相比，具有高載子遷移率、良好的透明度、均勻性和適用於低溫製程的潛力，其中AOS又以氧化銦鎵鋅(IGZO)最為出名。 本論文的實驗可分成兩個部分來提高IGZO的電特性，分別為探討氧化銦鎵鋅IGZO製程溫度及Ti摻雜對於薄膜的影響，利用Hall量測儀分析在不同溫度環境下薄膜阻抗的改變，推測在高溫環境中能提供更多的能量，使薄膜在成長過程中減少缺陷並提升載子遷移率；降低氧氣流量可提升氧空缺，增加載子濃度。另外在Ti摻雜方面，利用XPS量測不同摻雜比例下，藉由陽離子In被Ti取代使載子濃度的提升並提升薄膜的載子遷移率。