學術研究
畢業論文
生長奈米結構InGaN 量子井用於表面增強拉曼散射
姓名 : 余穎龍
指導教授
賴昆佑
簡汎清
簡汎清
論文摘要
在現今的世界中,科技日新月異,帶動了所有的相關產業。其中,生
醫也成為了一種新興且快速成長的研究領域,為了維持優良的生活品質,
生醫方面的相關知識也成了最炙手可熱的研究議題。表面增強拉曼散射
(surface-enhanced Raman scattering, SERS)是一種檢測快速、靈敏度高又穩定,還具有再現特性,是一種極具潛力的生醫感測工具。在本研究中,為了改善 SERS 訊號的有效面積及穩定度,我們利用有機金屬化學氣相沉積法(metal organicchemical vapor deposition, MOCVD)成長氮化物 SERS 晶片。
我們以藍寶石基板,先將設定溫度在 550 ℃,成長微米尺度的氮化鎵
成核(nucleation)結構,再將溫度拉高至 1120 ℃,成長單晶氮化鎵,接著通入氫氣,藉由氫氣本身具有蝕刻效果的特性,使氫氣滯留反應艙內數秒至數分鐘,使氮化鎵表面變得粗糙且均勻,最後在磊晶多層量子井以提高樣品表面電荷密度。完成後,我們利用掃描式電子顯微鏡觀察 SERS 晶片的表面結構,並以 rhodamine 6G (R6G)當作待測物分子來觀察拉曼訊號。根據量測果,我們發現氫氣的蝕刻效應及 MOCVD 的腔體壓力與 SERS 的訊號強度有密切的關係