賴昆佑

共振腔發光二極體(Resonant Cavity Light emitting Diodes, RCLED)是一種介於面射型雷射(Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSEL)與發光二極體(Light-Emitting Diode, LED)之間的特別元件。相較於LED，RCLED有更好的方向性、光譜純度和溫度可靠性，也有更高的光萃取效率和調制帶寬。 為了形成共振腔，在 RCLED 的上、下介面，通常需要高反射率的分散式布拉格反射 (distributed Bragg reflector, DBR) 結構，才能在元件表面發出半高寬極窄(< 10 nm)的光訊號。目前與 RCLED 相關的文獻，多為可見光範圍的研究結果，紫外光 RCLED 由於磊晶、製成難度較高，相關文獻較少，電激發的紫外光 RCLED 就更少了。 本研究利用簡單的磊晶、製程步驟，在藍寶石基板上成長氮化鋁鎵 (AlGaN) 量子井，並利用空氣分別與氮化鎵(GaN)、藍寶石形成的介面，作為元件的共振腔，最後在磊晶片表面得到波長 340 nm 的RCLED。雖然操作電壓高達70 V，且光譜也出現明顯的缺陷光，但此種新式的 RCLED 結構，可大幅簡化磊晶、製程步驟，有潛力提升深紫外光LED的發光效率。