賴昆佑

氮化鋁鎵(AlGaN)是深紫外光發光二極體[deep ultraviolet light emitting diode (DUV -LED), 波長<290 nm ]最常使用的材料。然而，含有氮化鋁鎵的DUV LED，儘管經過十多年的研究開發，其外部量子效應(external quantum efficiency, EQE)始終難以超越10%。這歸咎於p 型AlxGaN1-x的活化能(active energy)非常高(170 – 510 meV)，導致電洞注入效率不高，因此p-AlxGaN1-x的導電率很低。我們使用了氮化硼(boron nitride, BN)來取代氮化鋁鎵(AlGaN)，BN的電洞活化能遠低於AlGaN，還有很高的化學穩定性和熱穩定性，這些都是DUV -LED需要的特質。為了評估p 型BN(p-BN)的電性，我們以霍爾量測(Hall measurement)分析不同的金屬電極、退火條件以及不同磊晶條件的p-BN，希望能以p-BN形成歐姆接觸(ohmic contact)。我們發現，在p-BN表面加上一層厚度約3-nm的InGaN接觸層，或降低BN磊晶的五三比，能有效降低p-BN的接觸電阻。