張瑞芬

本論文主要研究下注入式垂直式發光電晶體，主要架構為氧化鋅電晶體上堆疊有機發光二極體。氧化鋅電晶體為上接觸/下閘極的結構，以透明導電膜為閘極，使用原子層沉積，沉積高介電係數的三氧化二鋁與氧化鉿作為雙層介電層，及N型材料氧化鋅作為半導體層，載子遷移率高達11-12 cm2/Vs。形成低驅動電壓、低接觸電阻及高電子流密度之橫向電晶體。將橫向電晶體源極與汲極接觸作為垂直式發光電晶體源極，以光阻墊高劑與光阻雙層結構，透過光學微影技術，在源極金屬上鍍製絕緣層氧化矽，抑制關電流密度，並有效提高開/關電流比。使用綠光有機材料PFO:F8BT作為發光層。以閘極電壓3V驅動，可得到高電流密度1 A/cm2及高開/關比105-106的下出光垂直發光電晶體，而外部量子效率也接近對應的有機發光二極體的外部量子效率。發光區可由光學微影將氧化鋅圖案化，明確定義發光面積，且能達到次微米等級，具有高開口率等優勢。