張瑞芬

本論文主要研究在共振激發機制下的電致發光偏極子元件，我們以高分子材料MDMO-PPV同時作為激子庫與光子源，透過共振腔式倒置型高分子發光二極體的設計，實現高分子材料的激子能量與共振腔光子模態的強耦合作用，並使電激發的光源直接激發偏極子能態發光，與一般元件相比，可以減少偏極子散射的損耗，提升元件發光效率。 在加入電子傳輸層ZnO優化元件後，實驗得到元件的外部量子效率約為0.14 %，偏極子集中於下支低角度發光，拉比分裂能量為600 meV，耦合因子有22.9 %，屬於超強耦合的範疇。而在強弱耦合元件發光效率的比較下，推測ZnO鍍在不同膜面上的電子注入效果不同，並以單載子元件的實驗證明。