張瑞芬

本論文以製作微米尺寸垂直式有機發光電晶體(Vertical organic light-emitting transistors, VOLETs)陣列為主，除了詳細說明8×8點矩陣式面板的設計與製作流程之外，還清楚解釋其背後原因。 透過原子層沉積(ALD)及曝光顯影等技術，製作出垂直式有機發光電晶體面板。使用ALD沉積高介電係數的三氧化二鋁與氧化鉿作為雙層介電層，並以ALD沉積N-type半導體材料氧化鋅，同時搭配綠光有機材料PFO:F8BT作為發光層。藉由顯影蝕刻方式將氧化鋅做微小圖案化，以達到單一像素尺寸最小可達到10μm×15μm的發光面積。透過光學微影技術，將每一道光罩圖案精準製作在元件上，使微小面積下有64個單一垂直式有機發光電晶體，最後在以Arduino開發板對面板進行驅動並成功發出10μm×15μm面積的綠光。