賴昆佑

Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體的研究與應用已經很廣泛，由於Ⅲ-Ⅴ族氮化物屬於直接能隙、寬能帶的材料，在550 nm以下的波長範圍，有很高的發光效率，而表面電漿共振效應可進一步提升氮化物半導體的發光效率。表面電漿共振是存在於金屬與介電質的介面處，當光波的頻率與金屬表面自由電子的頻率一致時，金屬表面的電子會發生集體震盪，大幅增加氮化物量子井的發光效率。 本研究採用氮化銦鎵量子井作為介電質，分別搭配金薄膜和銀薄膜，以形成表面電漿效應。我們分析金、銀薄膜對量子井發光頻譜的影響，發現10 nm厚的銀會使量子井發出很強的紅光(~ 650 nm)，金薄膜則無此現象。我們認為此強烈紅光來自於銀與量子井所匹配而成的表面電漿效應。量子井所發出的紅光強度，會因銀表面折射率的改變，而產生變化。此現象在生醫感測上有一定的應用價值，可用來感測生物分子結合所產生的折射率變化。