陳昇暉

可撓式基板材料為具有可連續捲對捲(roll-to-roll)生產優勢的新 世代基板技術，在材料上則需具備輕、薄、不易破碎以及攜帶方便、 可彎曲性之特性。欲探討分子結構與電荷傳導速率關連，受到分子濺 鍍成膜時的形貌影響。而 HIPIMS（高功率脈衝磁控濺鍍，high power impulse magnetron sputtering）是一種以高功率脈衝電源進行磁控濺鍍的技術，可在基材低溫度下得到無孔隙高密度的薄膜。在軟性基板中，薄膜元件需經歷反覆撓曲，撓曲薄膜元件電性的影響是一有趣課題。本實驗使用可撓曲之塑膠製備透明導電膜ITO，研究撓曲對其載子傳遞能力之影響。本研究於塑膠基板上以HIPIMS方法製作可撓式透明導電膜，並量測在不同應力下的元件特性。我們發現當元件受壓應力彎曲，元件電性差異大，且可容忍之彎折次數較少；反之受張應力彎曲時，則電性差異較平緩，而可容忍之彎折次數較多。 我們認為元件受應力的改變主要來自於薄膜內分子間作用力的變化：在張應力狀態時，晶粒-晶粒間的平均自由徑變大使薄膜產生微裂痕，使得載子遷移率較好；反之，當元件處於壓應力狀態時，晶粒-晶粒間的平均自由徑變小使薄膜產生變形，載子遷移率因而下降。