賴昆佑

近年來三五族發光材料在製備發光二極體上有廣泛的應用，包含面板，顯示器 背光模組，醫療元件等。而發光二極體在異質外延層的生長技術一直是影響半導體成 果的最大挑戰。 在本研究中，我們以螢光光譜分析半極性{10-11}氮化銦鎵多重量子井的晶格特性。此多重量子井以有機金屬化學氣相沉積法成長於(100)矽基板上，並以氧化鋅奈米 柱作為緩衝層，以得到{10-11}的半極性磊晶面。 在螢光光譜的分析中，我們利用變溫、變功率，以及時間解析的方式，來研究此半極性奈米量子井的銦含量分佈、缺陷密度等材料特性。從變溫螢光光譜與變功率的螢光光譜中，此氮化銦鎵量子井充分展示“s形發光曲線” 及“量子史塔克效應”，顯示銦自聚集形成的量子點結構，其內部量子效率約為66%。在時間解析的光譜中，我們發現半極性量子井中的載子周期約0.5 ns，小於傳統極性面的3.7 ns，這是因為氧 化鋅奈米柱能有效減少差排密度，並形成半極性氮化銦鎵磊晶面，減緩量子史塔克效 應，因而展現較高的發光效率。