賴昆佑

P 型氮化物半導體大多以鎳金(Ni/Au)作為歐姆接觸電極。對覆晶型 (Flip-Chip)深紫外(deep utralviolet, DUV, 波長 ≤ 290 nm) LED 來說，金在 DUV 波段的反射率不到 30%，嚴重犧牲元件的光萃取效率。為了解決此問 題，我們在 DUV LED 的 P 型電極上需克服兩大難題：(1) 提升金屬電極在 DUV 波段的反射率；(2)降低 P 型氮化鋁鎵（Al0.5Ga0.5N）表面的接觸電阻。 在本研究中，我們以 Ni/Al/Ti/Au 取代 Ni/Au。我們利用高真空電子束 暨熱阻式蒸鍍系統 (E-gun/Thermal)，在 P 型 Al0.5Ga0.5N 磊晶層上蒸鍍 Ni/Al/Ti/Au，再分析退火溫度對 Ni/Al/Ti/Au 接觸電阻的影響。我們發現， 550℃的退火溫度可將接觸電阻及片電阻分別從 2.81x101 ohm-cm2 及 9.41x108 ohm/sq，降低至 3.05x10-2 ohm-cm2及 8.79x105 ohm/sq。在反射率方 面，Ni/Al/Ti/Au 在 280 nm 的反射率可達 57%，遠高於 Ni/Au 的 24%。雖然 Ni/Al/Ti/Au 的導電度有待改進，但由於 Al 的高 UV 反射率，可以補償其在 電性上的損失。未來，我們將持續優化 Ni/Al/Ti/Au 的製程條件，希望能有 效提升 DUV LED 的發光效率。