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畢業論文
氮化銦鎵奈米量子井的表面增益拉曼散射分析 姓名 : 王菘郁

指導教授
賴昆佑


論文摘要
表面電漿是一種電磁波,存在於金屬與介電質的介面,當表面電漿形成時,其電磁場的共振強度對周圍的折射率變化有極高的敏感度,我們可我們藉由量測電磁場的強度或波長變化,來判斷金屬表面的待測物濃度,此方法已廣泛應用在生物感測元件上。 在本研究中,我們利用有機金屬化學氣相沉積法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)成長氮化銦鎵奈米量子井,再以其上的金屬奈米顆粒形成局部性的表面電漿效應,並透過R6G螢光分子所產生的拉曼訊號,來分析此奈米結構在生物感測上的應用潛力。 氮化物半導體具有高折射率、高化學穩定性等優勢。本研究所提出的氮化銦鎵量子井,所產生的光子可作為一種增益介質,補償金屬吸收激發光所造成的能量損失,且金字塔型的奈米結構表面,能增加待測物的吸附面積,配合此獨特的奈米量子井結構,可有效增加表面增益拉曼散射(surface enhanced Raman scattering, SERS)的強度,可偵測最低達10-10M的R6G分子濃度,在單分子偵測上有令人期待的潛力。



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