陳昇暉
曹昭陽

本研究使用磁控濺鍍法在鍺矽基板上生長高品質多晶砷化鎵薄膜，藉著磁控濺鍍沉積大面積製程，且在磊晶過程中不會使用有毒氣體等優勢，但較難磊晶成長，所以著重於薄膜生長之研究，若能成功於鍺矽基板生長高品質砷化鎵薄膜，就能取代機械強度較弱與成本較高的鍺晶圓。我們藉由基板溫度、濺鍍功率以及氫氣流量製程參數的調變，成功於鍺矽基板生長高品質多晶砷化鎵薄膜，由於氫能與砷化鎵薄膜鍵結形成(H-Ga, H-As)而減少缺陷結構，最後藉由熱退火製程使晶格重新排列，讓薄膜結構更為完整，且降低了表面粗糙度。本實驗使用Raman(拉曼光譜)、XRD(X射線繞射)、EBSD(電子背向散射繞射)、TEM(穿透式電子顯微鏡)、AFM(原子力顯微鏡)進行量測分析與討論。