陳昇暉

至今化石能源逐漸耗竭，須有新的能源作為取代，而乾淨、環保、再利用的綠色能源為最受矚目及未來性的趨勢，其中以太陽能電池最具代表性。在當今眾多種類的太陽能電池中，III-V族多接面太陽能電池的轉換效率最佳，本實驗團隊將以濺鍍法在矽基板上鍍製n-type重摻雜鍺薄膜，形成一種可應用於III-V族半導體磊晶製程之新型Ge-Si基板，重摻雜之n-type膜層未來可以做為穿隧接面之應用，讓元件達到電流匹配，使III-V族多接面太陽能電池效率達到最佳化。 本論文研究之n-type重摻雜鍺薄膜的實驗架構為：1.改變製程溫度和濺鍍功率，測試出最佳鍍膜參數。2.以最佳鍍膜參數的樣品進行爐管熱退火，探討不同退火溫度及時間對鍺薄膜結晶性與摻雜濃度的改變。3.將n-type重摻雜鍺薄膜的厚度設計在100 nm以下，並研究其厚度對結晶性與摻雜濃度的影響。以此架構所製作的n-type重摻雜鍺薄膜，濺鍍厚度約為500 nm，在最佳化製程條件下，XRD量測分析半高寬為最小，摻雜濃度可大於1019 cm-3，而厚度設計在100 nm時，其摻雜濃度也可大於1018 cm-3。