張榮森

近幾年來，薄膜電晶體液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)的品質要求越來越高，技術層面也廣泛化，這些技術層面的提升除了仰賴研發人員的專業能力，也需要工廠端製程面去實現應用於產品上，因此，提升現有的製程技術是現階段必然的方向。 論文中第二章對TFT-LCD Array微影製程做詳解，第三章針對多層孔洞堆疊結構中光阻殘留的問題，討論可能相關的原因，利用田口法分析使用直交表及計算S/N ratio找出最佳化條件，進而改善光阻殘留問題，減少產能損失。 本論文中參考「晶圓及封裝重佈線路製程光阻殘留之研究」[1]，調整曝光強度與時間改善光阻殘留現象，本論文不同之處在於額外增加了光阻厚度、顯影時間、塗佈方式等三個項目，使曝光能量由40mJ/cm2下降為25mJ/cm2改善37%，製程時間從53秒下降到46秒，優化13%，製程厚度由2.1μm提高到3.75μm增加了78%，另外增加雜訊因子，使得寸法表現更為穩定，δ改善約25%，製程厚度由2.1um提高到3.75um增加了78%。