張榮森

近年來電子產品隨摩爾定律，電子產品的功能及執行速度不斷提升及走向輕薄設計，以目前智慧型手機為例，除單純的輕薄設計外，鏡頭的畫素要求也愈來愈高，故半導體封裝的尺寸要求愈來愈小，且執行速度要求愈來愈快的狀況下，封裝製程容易因線路設計愈來愈密集而導致缺陷容易發生，因此考慮到製程良率及產品成本的狀況下，進行製程缺陷改善是必然的方向。 本論文第二章及第三章，針對晶圓級封裝重佈線路曝光製程光阻殘留的問題，討論發生的理論機制。主要以重佈線路曝光製程的曝光強度、曝光照射時間、曝光方式及鈍化層粗糙度等方向，並利用田口分析法針找出最佳控制因子，解決光阻殘留問題。 本論文第四章，探討重佈線路曝光製程光阻殘留原因，來自於使用不當的曝光強度及曝光照射時間過長，造成晶粒與晶粒之間反射光源過強，影響重佈線路曝光製程光阻殘留比例，減少曝光過程中光罩與晶圓接觸距離，以及鈍化層粗糙度增加，避免光源因漫射而造成之反射光源，以上兩種條件皆可有效降低光阻殘留。應用田口分析法找出曝光UV照射強度4mw/cm2，曝光照射時間65sec及曝光時光罩與晶圓距離為0㎛可得到最佳化參數設計。