學術研究
畢業論文
以田口方法在不同的巨磁阻結構厚度下取得最佳靈敏度研究
姓名 : 潘高文
指導教授
張榮森
論文摘要
本論文製作一系列奈米尺度下巨磁阻(Giant Magneto Resistance)結構樣品，並藉由改變磁場大小及量測Wheatstone bridge電壓差的方式來研究巨磁阻結構中鐵磁層磁矩翻轉變化機制。
依據巨磁阻特性，利用Wheatstone bridge機制來製造具有高低電阻切換的磁電阻結構的感測器，並研究其薄膜結構間隔層(Cu)及固定層(CoFe)對磁矩翻轉機制的影響。
本論文樣品有四種不同薄膜層厚度的組合，其中固定層為3.8nm、4.2nm，間隔層則分別為2.5nm、2.8nm。使用微影製程、電漿濺鍍、回火、磁化，製作具有磁特性的電橋結構，此實驗將使用田口方法(L422)找出在不同厚度的鐵磁層及反鐵磁層的最佳化設計。
