張榮森

本論文主要以（Amorphous silicon, a-Si）非晶矽TFT LCD技術及製程設備背景下，藉由半導體材料a-Si變更為Metal Oxide，也就是本篇論文所使用之材料IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide為氧化銦鎵鋅的縮寫)來取代原使用之半導體材料，新材料可提供半導體更佳的電子遷移率、高電流開關比，但新材料易受製程中氧分佈不均勻影響，造成電性上穩定性不佳進而影響面板顯示的品質，本論文藉由新材料IGZO鍍膜機台(物理汽相沉積)調整各項參數實驗，最後經提供氧氣之管路改造，使氧氣於鍍膜時均勻分佈於腔體內，經由實驗得到較佳的電性均一性。 由實驗結果將氧氣流量管路改造後，原先單一68*88cm大基板上9點IV Curve均一性表現分散，改善前關鍵指標臨界電壓差ΔVth大於5V，對策改善後臨界電壓差ΔVth電性變化量可小於2V，除均一性得到顯著改善也驗證氧流量分布對於元件開關特性影響的重要性，並且於實際點亮之面板也得到較佳之顯示品質。