郭倩丞
陳彥宏

類鑽膜為鑽石結構sp3鍵結與石墨結構sp2鍵結的非晶(Amorphous)碳膜，具有絕佳的機械性質可做為保護膜。但因內應力過大與穿透率不佳，使其在應用上受到侷限。而類鑽膜的摻雜改善了上述缺點，使類鑽膜更利於被使用。 常見的類鑽膜製程為電漿輔助化學氣相沉積法(PECVD)，而本實驗與一般的PECVD架構不同，稱此系統為射頻磁控電漿輔助化學氣相沉積法，可獨立控制電漿功率與負偏壓大小。在此實驗中，利用Raman和FTIR量測分析與驗證類鑽薄膜特性，再利用XPS輔助佐證實驗結果。甲烷與六甲基二矽氧烷作為反應氣體，利用射頻磁控電漿輔助化學氣相沉積法摻雜SiOx於類鑽膜，透過改變六甲基二矽氧烷的流量控制矽氧化合物在膜中的含量，特別是透過SiOx的摻雜。實驗以負偏壓大小為200 V，電漿功率為140 W，HMDSO流量為0.2 sccm下，所鍍製出的類鑽薄膜具有88 %的穿透率，硬度值達12.9 Gpa，其厚度約100 nm。