陳昇暉
郭倩丞

石墨烯具有高電子遷移率、高導電性、高穿透性、高機械強度，利用於電子元件製備與透明導電膜研究上受到重視。目前大多使用多晶銅箔利用化學氣相沉積法來製備高品質石墨烯，而不同晶向之銅表面與石墨烯之晶格匹配度不一致，所生長石墨烯單晶會產生不同方向性，導致晶界接合處產生較大接合缺陷，阻礙了電子的傳導，並降低其導電特性。 本研究利用化學電鍍剝離法製備表面為銅(111)之銅箔，並利用化學氣相沉積法成長石墨烯，透過製備單一晶向銅箔，降低晶格匹配度所造成之缺陷來成長單一方向性之石墨烯單晶，減少邊界接合缺陷產生，並與目前化學氣相沉積法於多晶銅箔之表面形貌、片電阻、載子遷移率、光穿透率、拉曼訊號比較，證實有較佳之品質。並運用此方法製備石墨烯並轉移至軟性基板上，並進行撓曲度量測，驗證石墨烯比起現今透明導電膜有較佳之可撓性，使其能運用取代現今之透明導電薄膜。