陳昇暉

以矽酸四乙酯(TEOS)材料在低溫的電漿輔助化學氣相沉積法成長出具有高密度和低應力的SiO2薄膜。針對幾項製程參數包括鍍膜壓力、氧氣流量、TEOS流量、高低射頻的功率及沉積溫度等進行調整並且分析製鍍薄膜的品質。 實驗結果顯示，當沉積速率提高時，薄膜的密度將會變低，而較低密度的薄膜會造成低的薄膜應力。我們發現TEOS SiO2薄膜的應力與薄膜密度及沉積速率有很大的相關性，在調整鍍膜壓力、氧氣流量、TEOS流量...等參數下，會使SiO2 薄膜沉積速率、應力及密度有較明顯的變化。 最後我們依照實驗結果找出最佳的鍍膜條件:為沉積壓力約在4torr、TEOS與O2當量比在8.1%、鍍膜溫度在200oC的條件下，所備製出的TEOS SiO2薄膜具有高密度以及低應力的薄膜品質，其薄膜的沉積速率約41±2.0Å/sec ,其蝕刻速率約在1100±55Å/sec。且控制應力值約為300±20Mpa的壓應力薄膜。