陳昇暉

本研究目的為使用PVD中的濺鍍製程製作矽異質接面太陽能電池，因PVD濺鍍法可以取代CVD法，且沒有汙染環境、高成本等…缺點。但是PVD製程法有其困難之處如：（1）硼摻雜不易、（2）薄膜缺陷較多。故本研究方法為：（1）使用調變硼顆粒面積來改善摻雜不易之問題。（2）使用外加直流偏壓的方式，改善濺鍍中 離子對薄膜轟擊效應所產生之缺陷。 　　經過P型氫化非晶矽單層膜分析、AMPS-1D軟體模擬、矽異質接面太陽能電池實作。證實增加硼顆粒擺放之面積確實可以改善P層之摻雜量，且外加直流偏壓除了可減少 離子對薄膜轟擊效所產生之微結構，還可以幫助硼原子摻雜進入薄膜。 　　本研究結果為矽異質接面太陽能電池之製作於擺放多量硼顆粒面積（110度）並施加外加偏壓 時有最高效能，效率最高達到8.8%。