陳昇暉

本研究可以分為兩個部份來討論，其一是矽基板與鍺基板上鈍化層的分析，第二是比較分析兩種不同基板上鈍化效果。利用沉積四種不同鈍化層薄膜，分別是SiO2/SiNx、Ta2O5、TiO2、Al2O3，鍍製在IV族基板上，期望藉此改善太陽能電池基板的載子表面復合。鈍化層的分析主要分成電性分析以及薄膜成分的分析，觀察對不同鈍化薄膜於不同基板鈍化效果。在電性分析上量測少數過量載子生命週期值與電流電壓特性曲線，在成份分析上量測X-ray光電子能譜儀。 根據本實驗的分析結果，在矽基板上SiO2/SiNx堆疊結構有最好的鈍化效果，少數過量載子生命週期值為127.97 μs，樣品漏電流為5.8×10-8 A(0.5V)，是四種鈍化層中表現最佳。而在鍺基板上則是Ta2O5薄膜具有最好的鈍化效果，少數過量載子生命週期值為9.41μs，樣品漏電流值為9.77×10-5 A(0.5V)，亦是四種鈍化材料中表現最佳。